硅存储技术股份有限公司取得通过导电块上的硅化物在基底上制造存储器单元、高电压设备和逻辑设备的方法专利

2025-04-19 08:32:00

金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，硅存储技术股份有限公司取得一项名为“通过导电块上的硅化物在基底上制造存储器单元、高电压设备和逻辑设备的方法”的专利，授权公告号CN114078864B，申请日期为2020年8月。

本文源自金融界